第17回 PDEAパワーデバイスセミナー

次世代アプリへの展開を睨むSiC・GaNパワー半導体

日時: 2018年12月03日　13:00～18:30
会場: 品川フロントビル会議室
主催: パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛: （株）アドバンテスト
後援: 東京大学VDEC
ナノテスティング学会
日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
特別協力: （株）産業タイムズ社
参加費: 10,000円（税込）／1名（テキスト代、名刺交換会費含む）
定員: 80名　※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。

企画趣旨

SiCやGaNを用いたパワー半導体は、アプリケーションの裾野のさらなる拡大が期待されています。 SiCは高速鉄道、再生可能エネルギーのPCSに次いで、自動車への本格展開が迫っており、 EV向けに特性を大きく改善したデバイスも発表されています。また、ロボットなど、急成長している産業においてもGaNやSiCは注目度が高まっています。今回のセミナーは、最新市場動向、デバイスやモジュールの最新開発動向に加え、ユーザーサイドから見た期待度や将来性なども解説していきます。最新動向を探る絶好の機会となりますので、ぜひご参加いただき、今後の事業戦略構築にお役立てください。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

【講演】次世代アプリを睨むSiC・GaNパワーデバイスの将来市場動向 13：00－14：00: 講師

グロスバーグ合同会社代表　大山聡氏

【講演】広範な応用展開が期待される、SiCモジュールの技術 14：00－15：00: 講師

富士電機(株)　電子デバイス事業本部　開発統括部
パッケージ開発部　先行開発課　池田良成氏

【講演】パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内 15：00－15：10: 講師

一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

休憩 (15：10－15：25)

【講演】サーボシステムにおけるパワー半導体の使われ方と次世代パワー半導体への期待 15：25－16：25: 講師

三菱電機(株)　開発本部　先端技術総合研究所
パワーエレクトロニクス技術部門　主管技師長　大井健史氏

【講演】従来比40％の電界強度低減と50％の省エネを実現するEV向けSiCパワー半導体 16：25－17：25: 講師

(株)日立製作所　研究開発グループ　エレクトロニクスイノベーションセンタ
エネルギーエレクトロニクス研究部　部長　島明生氏

名刺交換会 17：25－18：30