第15回 PDEAパワーデバイスセミナー

世界で市場急拡大が確実なEVをにらむSiCデバイス技術・市場の最新動向

日時: 2018年06月01日
会場: 大阪御堂筋ビル貸会議室
主催: パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛: （株）アドバンテスト
後援: 東京大学VDEC
日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
日本半導体製造装置協会（SEAJ）
システム・インテグレーション㈱
特別協力: （株）産業タイムズ社
参加費: 8,000円（税込）／1名（テキスト代、名刺交換会費含む）
定員: 60名　※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。

企画趣旨

SiCパワー半導体の用途がますます広がっています。Siに比べて省電力化やパワーモジュール小型化に貢献する特徴が産業界において定着しつつあり、鉄道車両や太陽光発電、エアコン等に採用が進められています。さらに今後は新幹線車両、そしてEVやPHV、FCV（燃料電池車）にも広がっていきます。特に自動車業界では、PCUの小型・軽量化に貢献しうる車載SiCデバイスの本格離陸が待望される状況となっています。今回のセミナーでは、EVなどをにらむSiCデバイスの最新動向を、技術・市場の両面から探っていきます。SiCの最新動向を探る絶好の機会となりますので、ぜひご参加いただき、今後の事業戦略構築にお役立てください。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

【講演】市場急拡大に沸くEV、およびEV時代の飛躍を狙うSiCパワーデバイスの最新市場動向 13：00－14：20: 講師

IHSグローバル㈱　IHS Technology／Japan Research Director　南川　明氏

【講演】低損失SiCデバイスの開発状況 14：20－15：10: 講師

三菱電機㈱　パワーデバイス製作所　応用技術部　応用技術第一課　課長　松岡　徹氏

【講演】パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内 15：10－15：20: 講師

一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

休憩 (15：20－15：35)

【講演】 1200Vの高耐圧・高信頼性SiCパワーMOSFETの開発 15：35ー16：25: 講師

産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター
SiCデバイスプロセスチーム　チームリーダー　原田　信介氏

【パネルディスカッション】 16：25－17：30: パネラー：各講師

名刺交換会 17：30－18：30