第14回 PDEAパワーデバイスセミナー

次世代パワーデバイスの有力候補を斬る、注目の酸化ガリウム＆ダイヤモンドの最新開発動向

日時: 2017年12月06日　13:00～19:00
会場: 東京・品川フロントビル会議室
主催: パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛: （株）アドバンテスト
後援: 東京大学VDEC
日本電子デバイス産業協会（NEDIA）
日本半導体製造装置協会（SEAJ）
システム・インテグレーション（株）
特別協力: （株）産業タイムズ社
参加費: 10,000円+税／1名（テキスト代、交流会費含む）
定員: 80名　※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。

企画趣旨

「ポストシリコン」を目指す次世代パワー半導体はSiCやGaNだけではありません。それらは実用化で先行していますが、最近では、よりバンドギャップが広く、パワー半導体材料としての適性を示すバリガー性能指数が極めて高い酸化ガリウムやダイヤモンドが、新たな有力候補として急浮上しています。
そこで、パワーデバイス・イネーブリング協会では、酸化ガリウムおよびダイヤモンドを使ったパワー半導体の最新開発動向と、離陸に向けた課題を探る技術セミナー「次世代パワーデバイスの有力候補を斬る」を企画いたしました。
酸化ガリウムに関しては、国立研究開発法人情報通信研究機構の東脇正高氏にトランジスタおよびダイオードの開発動向と離陸への課題を語っていただきます。加えて、独自の「ミストCVD」技術を駆使して酸化ガリウムSBD（ショットキバリアダイオード）試作に成功した㈱FLOSFIAの開発戦略を、取締役CTOの四戸孝氏に講演いただきます。ダイヤモンドに関しては、ウエハー開発からデバイス（ダイオード、MOSFET）までの最新研究動向と離陸への課題を、金沢大学の徳田規夫准教授に語っていただきます。
このほか、特別講演として、日本発の世界標準のめどが立った「車載・一般用途半導体部品認定ガイドライン」について、JEITA（一般社団法人電子情報技術産業協会）のワーキンググループリーダの伊賀洋一氏にご紹介いただきます。酸化ガリウムとダイヤモンドパワーデバイスの可能性を探る絶好の機会ですので、皆様のご参加をお待ちしております。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

【講演】ダイヤモンドパワーデバイス開発の最新動向と離陸への課題 13:05-14:05: 講師

金沢大学　理工研究域　電子情報学系　薄膜電子工学研究室　徳田規夫氏

【講演】特別講演：～日本発、世界標準：車載・一般用途半導体部品認定ガイドラインの紹介～ 14:05-15:05: 講師

JEITA 半導体信頼性試験認定ワーキンググループ（WG）
リーダー　伊賀洋一氏

【講演】パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内 15:05-15:15: 講師

一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

【講演】酸化ガリウムトランジスタ・ダイオード開発の最新動向と離陸への課題 15:30-16:30: 講師

国立研究開発法人情報通信研究機構　未来ICT研究所
グリーンICTデバイス先端開発センター　センター長　東脇正高氏

【講演】ミストCVD法による世界最小オン抵抗の酸化ガリウムSBDの開発と事業化戦略 16:30-17:30: 講師

(株)FLOSFIA　取締役CTO　四戸孝氏

交流会 17:40-19:00