オンラインセミナー
パワーデバイス用Si結晶の過去、現在、未来
- 日時
 - 2021年03月24日 14:00~15:30
 - 会場
 - 
                オンライン
 - 主催
 - パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)
 - 協賛
 - (株)アドバンテスト
 - 参加費
 - 無料
 - 定員
 - 100名 ※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。
 - 注意事項
 - ※講演資料は当日閲覧、ダウンロードが可能です。
 
本セミナーの申込は終了いたしました。
企画趣旨
パワーデバイス用Si結晶/ウエハとしては、従来からFZ結晶あるいはエピウエハが用いられてきた。
最近のIGBTでは、FZウエハを用いて薄ウエハプロセスを適用したデバイスが主流になってきている。
今後のSiパワーデバイスにおいては、300mm化がキーワードとなる。
パワーデバイス用Si結晶の過去、現在、未来について述べる。
          最近のIGBTでは、FZウエハを用いて薄ウエハプロセスを適用したデバイスが主流になってきている。
今後のSiパワーデバイスにおいては、300mm化がキーワードとなる。
パワーデバイス用Si結晶の過去、現在、未来について述べる。
セミナープログラム
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
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                      【講演】 パワーデバイス用Si結晶の過去、現在、未来
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                                              講師千葉工業大学 工学部 電気電子工学科 教授 山本秀和氏
 
概要
                      パワーデバイス用Si結晶/ウエハとしては、従来からFZ結晶あるいはエピウエハが用いられてきた。
最近のIGBTでは、FZウエハを用いて薄ウエハプロセスを適用したデバイスが主流になってきている。
今後のSiパワーデバイスにおいては、300mm化がキーワードとなる。
パワーデバイス用Si結晶の過去、現在、未来について述べる。
                    最近のIGBTでは、FZウエハを用いて薄ウエハプロセスを適用したデバイスが主流になってきている。
今後のSiパワーデバイスにおいては、300mm化がキーワードとなる。
パワーデバイス用Si結晶の過去、現在、未来について述べる。
本セミナーの申込は終了いたしました。

